隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續上漲。據中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發現相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據 TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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DDR4 DRAM 存儲
從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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EDA 3D IC 數字孿生
根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現貨價格：盡管過去一周現貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續上漲，而 8Gb DDR4 等
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內存 DDR4 DRAM
●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
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西門子EDA 3D IC
上周，臺灣地區頂級 DRAM 制造商南亞科技據報道暫停了 DDR4 現貨報價，因為價格飆升?，F在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據經濟日報的最新數據，引用了 DRAMeXchange 的數據，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業的主要供應商。據報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創紀錄的 37.59 億新
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DDR4 DRAM 存儲
東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。“這些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現了 10μm 的
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DRAM 處理器 3D堆棧集成
來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發了涉及精確和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲，據報道，臺灣地區的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據經濟日報報道。行業消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發生在現貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩步推高價格。TrendForce 的最新調查發現，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環比將上漲
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DRAM 存儲 市場分析
據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統LSI業務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業務（MX）部門開發Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現小幅現貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現貨價格已經相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
在特朗普加征關稅之前囤積數據推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
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三星 DRAM DDR4
中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
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3D 射頻傳感器
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